Elektronika

Edukativni tekstovi iz sveta elektronike

Komponente

Opisi komponenata koje se koriste u elektronici

Novosti

Najnovije vesti iz elektronike i ostalih srodnih oblasti

Projekat

Projekti iz elektronike za samogradnju

Rečnik

Rečnik pojmova iz elektronike i računarstva

Početna » Komponente

MCT – Mos Controlled Tiristor

Autor | Sreda, 14. Novembar 2007.Nema komentara

Struktura MCT je veoma složena. Njegov potencijal još ni izbliza nije iskorišćen. Predstavlja najnoviju generaciju energetskih komponenti. Komercijalno je predstavljen 1992. Glavni aduti su mu naponsko upravljanje i izdržavanje visokih temperatura od preko 150 stepeni. Upoznajte se sa veoma zanimljivim osobinama MCT komponente…

Osnovne karakteristike

Mogućnost naponskog upravljanja enegetskom komponentom uvek je poželjna. MCT komponenta ima takvu strukturu da je moguće uključiti/isključiti sa malim impulsom na gejtu kao kod snažnog MOSFET-a. Prvi put je predstavljen tržištu 1989. i dan danas predstavlja najsloženiju energetsku komponentu mada postoji niz unapređenja na njegovu prvobitnu strukturu koje su dodatno unapredile njegove osobine. MCT predstavlja jedno hibridno kolo veoma složene unutrašnje strukture. Unutrašnjost se sastoji od više desetina hiljada mikroćelija integrisanih na istom substratu pri čemu su vezane u paralelu. Ekvivalentna šema sastoji se od dva bipolarna tranzistora koji povećavaju strujne mogućnosti i dva FET-a koji služe za uključenje i isključenje. Pad napona u uključenom stanju je veoma mali i iznosi oko 1-1,5V i ima negativnu logiku rada. Na slici 1 a) i b) prikazani su simbol za MCT i ekvivalentna šema MCT komponente .

Slika 1 a) Ekvivalentna šema MCT

Slika 1. b) Simbol za MCT

Slika 2 Unutrašnja struktura MCT komponente

Princip rada

Koristi se negativna logika rada, pri VGA < 0V MCT se uključuje dok se za VGA >0V. Najčešće je za uključenje potrebno oko -7V dok je za isključenje potrebno bar 10V. Brzina prekidanja je veća nego kod GTO tiristora. Može da postigne i do 50 kHz. Kod MCT-a PN spojevi izdržavaju i preko 150o što je velika prednost u odnosu na sve druge energetske komponente. Tokom uključivanja i isključivanja nije potreban snaber dok su istovremeno brzine porasta struje i napona veoma velike. Nultim naponom gejta održava se prethodno uspostavljeno stanje mada je mnogo efikasniji način za to održavanje n-kanalnog MOSFET-a u provodnom stanju čime se eliminiše mogućnost uključenja MCT-a usled prebrzog porasta anodnog napona. Prilikom iskjučenja MCT-a ulazna kapacitivnost gejta je mala pa je promena napona na njemu zanemarljivo mala u odnosu na promenu napona preko celog MCT-a.

Primena

MCT komponenta još nije našla put do šire primene usled svoje cene pre svega. Komponente kao što su IGBT, Tiristori, GTO i snažni MOSFET-i još uvek se mnogo više ugrađuju u upravljačke sklopove nego MCT. Upotreba MCT je neophodna na onim mestima gde je radna temperatura visoka, preko 150o gde ostale snažne komponente ne mogu da funkcionišu ispravno. Velika je prednost što se MCT komponente mogu vezivati kako paralelno tako i serijski što omogućava povećanje moći prekidanja. Nema pojave sekundarnog proboja što se retko sreće kod snažnih komponenti. Jedna od retkih mana je nesimetrična karakteristika blokiranja napona. Zbog svih navedenih prednosti predviđa se široka upotreba MCT komponenti u energetskoj elektronici.

Leave your response!

You must be logged in to post a comment.